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    品牌: TI
    阈值电压: 1.4V@250µA
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    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":429,"14+":2029,"15+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订500个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":5572}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86311W1723

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@12.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86311W1723

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@12.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16322Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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