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    品牌: TI
    漏源电压: 8V
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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22204W 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22204W 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22204WT 起订500个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订250个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订10个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订500个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订10个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

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    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

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    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订10个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

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    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

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    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

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    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205L 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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