采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N08S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP130N8F7
功率：205W
包装方式：管件
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N08S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17535，"19+"：43000，"22+"：10500，"23+"：2271，"9999"：448，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N08S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：14661，"16+"：21，"22+"：195，"23+"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP052N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@66µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3770pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP057N08N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB049N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@66µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S406ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP052N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@66µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3770pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S406ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17535，"19+"：43000，"22+"：10500，"23+"：2271，"9999"：448，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N08S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17535，"19+"：43000，"22+"：10500，"23+"：2271，"9999"：448，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N08S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB049N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@66µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：14661，"16+"：21，"22+"：195，"23+"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP052N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@66µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3770pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP057N08N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4750pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
