品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: