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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@15V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@31A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSI
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6009LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：14.2A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6007LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0911NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@12V
连续漏极电流：18A€30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0921NDIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：17A€31A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25772}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@12V
连续漏极电流：31A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ011NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@12V
连续漏极电流：35A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9520pF@20V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
