品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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类型:2N沟道(双)
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5086
工作温度:150℃
功率:5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:790pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:5P沟道,共源
导通电阻:220mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
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连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: