品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD6H846NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2V@21μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@40V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@40V
导通电阻:12.2mΩ@10V,5A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD6H846NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2V@21μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@40V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@40V
导通电阻:12.2mΩ@10V,5A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD6H846NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2V@21μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@40V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@40V
导通电阻:12.2mΩ@10V,5A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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