品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6R8A08QM,S4X
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@40V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@29A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TK6R8A08QM,S4X
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@40V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@29A,10V
漏源电压:80V
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功率:41W
阈值电压:3.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@40V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@29A,10V
漏源电压:80V
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功率:41W
阈值电压:3.5V@500µA
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连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@29A,10V
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栅极电荷:39nC@10V
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类型:N沟道
漏源电压:80V
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工作温度:175℃
连续漏极电流:58A
功率:41W
包装方式:管件
导通电阻:6.8mΩ@29A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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