采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN19008QM，LQ
工作温度：-+175℃
功率：57W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：16nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：34A
类型：MOSFET
导通电阻：28mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN19008QM，LQ
工作温度：-+175℃
功率：57W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：16nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：34A
类型：MOSFET
导通电阻：28mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
输入电容：3000pF@40V
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
功率：1.6W€61W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
输入电容：1200pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：TPN19008QM，LQ
功率：57W
阈值电压：3.5V
包装方式：Reel
导通电阻：28mΩ
栅极电荷：16nC
漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
工作温度：-+175℃
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
输入电容：1200pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
输入电容：1200pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
