采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：38000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：10A€72A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
