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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
功率：1W
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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生产批次：{"23+"：6621}
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
功率：1W
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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