销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5347pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4461pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:54.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8167pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12748}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5525pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5
功率:114W
阈值电压:3.8V@72μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5525pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5347pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5
功率:2.5W
阈值电压:3.8V@95μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: