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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R8-80EX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R8-80EX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5347pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R5-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R5-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4461pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N08N3GXKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N08N3GXKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@155µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8110pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.75mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R5-80EX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R5-80EX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:54.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8167pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订465个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订465个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@63µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3860pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N031ATMA1 起订345个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N031ATMA1 起订345个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12748}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5525pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC037N08NS5 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC037N08NS5 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC037N08NS5

    功率:114W

    阈值电压:3.8V@72μA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10V,50A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N031ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N031ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5525pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP100N8F6 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STP100N8F6 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N8F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5955pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N08N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N08N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@155µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8110pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.75mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N08N3GXKSA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N08N3GXKSA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@155µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8110pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.75mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R8-80EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R8-80EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5347pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@63µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3860pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6276 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6276 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6276

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4940pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19503KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5

    功率:2.5W

    阈值电压:3.8V@95μA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,50A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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