首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    漏源电压: 80V
    栅极电荷: 54nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:18.5A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:18.5A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2365,"22+":10}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧