品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:18.5A€99A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:18.5A€99A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3.8V@67µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3.8V@67µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3.8V@67µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3.8V@67µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2365,"22+":10}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: