采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
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规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
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功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
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功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
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连续漏极电流：1.1A
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