包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000}
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB86366-F085
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.6mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:6280pF@40V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
ECCN:EAR99
功率:176W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB86366-F085
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.6mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:6280pF@40V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
ECCN:EAR99
功率:176W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11053,"MI+":700}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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