品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
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输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
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输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7820pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,6V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7820pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,6V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7820pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,6V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7820pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,6V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":684}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: