采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：6.25W€125W
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
连续漏极电流：32.8A€100A
输入电容：5150pF@40V
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：6.25W€125W
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
连续漏极电流：32.8A€100A
输入电容：5150pF@40V
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-RE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：6.25W€125W
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
连续漏极电流：32.8A€100A
输入电容：5150pF@40V
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
