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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0165N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：304nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23660pF@40V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@40V
连续漏极电流：37A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDB0165N807L
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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漏源电压：80V
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类型：N沟道
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漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
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功率：3.8W€300W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：35A€196A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：304nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23660pF@40V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：23660pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
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连续漏极电流：37A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
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规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
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功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@230µA
栅极电荷：180nC@10V
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输入电容：13000pF@40V
连续漏极电流：37A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
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包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：304nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
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规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
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栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：35A€196A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB0165N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：304nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23660pF@40V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：35A€196A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
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连续漏极电流：37A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：180nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB0165N807L
连续漏极电流：310A
栅极电荷：304nC@10V
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类型：N沟道
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
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栅极电荷：255nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
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类型：N沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
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包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：35A€196A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
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栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：35A€196A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@230µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@40V
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类型：N沟道
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