品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":979}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7835pF@50V
连续漏极电流:24A€162A
类型:N沟道
导通电阻:2.95mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":466}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-108ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:108V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€156W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7330pF@13V
连续漏极电流:49A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":979}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7835pF@50V
连续漏极电流:24A€162A
类型:N沟道
导通电阻:2.95mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54.3W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":323}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€156W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7330pF@13V
连续漏极电流:49A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€156W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7330pF@13V
连续漏极电流:49A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: