品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
连续漏极电流:281mA
类型:P沟道
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":207171,"11+":954,"13+":4897}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY301NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: