采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2104}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：990，"18+"：1800，"20+"：7000，"MI+"：59}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL8114PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2660pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ010NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：32A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：1900，"MI+"：980}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP90N02
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：121654}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：990，"18+"：1800，"20+"：7000，"MI+"：59}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL8114PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2660pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：990，"18+"：1800，"20+"：7000，"MI+"：59}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL8114PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2660pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：179200，"06+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1186，"15+"：3361，"16+"：186672，"21+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：179200，"06+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5785}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ010NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：32A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16415Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD150N3LLH6
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：121654}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB081N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16415Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
