采购热线 400-661-9010
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@300mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4105CT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA€775mA
类型：N和P沟道
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V€8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧，47千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4105CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA€775mA
类型：N和P沟道
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V€8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC94052YC6-TR
工作温度：-40℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC94053YC6-TR
工作温度：-40℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
