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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：660mA
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导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
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功率：270mW
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功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-GE3
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功率：270mW
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ECCN：EAR99
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功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2072-3/TR
功率：270mW
阈值电压：580mV@250μA
栅极电荷：870pC@4.5V
输入电容：50.6pF@10V
连续漏极电流：660mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.3pF@10V
导通电阻：220mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2072-3/TR
功率：270mW
阈值电压：580mV@250μA
栅极电荷：870pC@4.5V
输入电容：50.6pF@10V
连续漏极电流：660mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.3pF@10V
导通电阻：220mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2072-3/TR
栅极电荷：870pC@4.5V
连续漏极电流：660mA
功率：270mW
类型：1个N沟道
阈值电压：580mV@250μA
输入电容：50.6pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：220mΩ@4.5V，550mA
反向传输电容：8.3pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2072-3/TR
功率：270mW
阈值电压：580mV@250μA
栅极电荷：870pC@4.5V
输入电容：50.6pF@10V
连续漏极电流：660mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.3pF@10V
导通电阻：220mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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