采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N60APBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3205Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3954pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3705NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：98nC@5V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@46A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2807ZPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3270pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@53A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA26N30X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@13A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3205Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205ZPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800，"9999"：48}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW15N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@6A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTS244ZE3043AKSA2
工作温度：-40℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2660pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@19A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3205Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
