品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.423nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP12N50NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.235nF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW15N95K5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:170W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:855pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@100V
导通电阻:410mΩ@10V,6A
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L080N120SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:2.75V@5mA
栅极电荷:56nC@-5V/20V
包装方式:管件
输入电容:1.112nF@800V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
反向传输电容:6.5pF@800V
导通电阻:80mΩ@20V,20A
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.27nF@25V
栅极电荷:110nC@10V
漏源电压:75V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
连续漏极电流:75A
包装清单:商品主体 * 1
库存: