品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":131242}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7805}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":203,"20+":211}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2498-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:3.4nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":71,"18+":7650,"19+":38900,"21+":27,"23+":398,"9999":350,"MI+":2257}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1760}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2461-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1760}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2461-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7805}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":71,"18+":7650,"19+":38900,"21+":27,"23+":398,"9999":350,"MI+":2257}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD35P03_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1169pF@15V
连续漏极电流:8.4A€35A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":71,"18+":7650,"19+":38900,"21+":27,"23+":398,"9999":350,"MI+":2257}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: