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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":10471}

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04DCR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04DCR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1132pF@20V

    连续漏极电流:8A€38A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":10471}

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4007-1E 起订248个装
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4007-1E 起订248个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":650}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BFL4007-1E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:680mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订251个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订251个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订161个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订161个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4089LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5411_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5411_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5411_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.556nF@15V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":10471}

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4089LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4037-1E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4037-1E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BFL4037-1E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订250个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001 起订250个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4089LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 2SK4085LS-1E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4085LS-1E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":83850,"13+":51124,"15+":1799}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4085LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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