品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1132pF@20V
连续漏极电流:8A€38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":650}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4007-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.556nF@15V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2100}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4037-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":83850,"13+":51124,"15+":1799}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4085LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: