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    栅极电荷
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    栅极电荷: 19nC@10V
    当前匹配商品:1600+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z24GPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z24GPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z24GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7050,"9999":284}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N62ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3ENX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:914pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF9Z24STRR-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF9Z24STRR-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF9Z24STRR-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD08P06-155L-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD08P06-155L-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD08P06-155L-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU9024NPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU9024NPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU9024NPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC079N03LSCGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC079N03LSCGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9024NTRPBF 起订13个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9024NTRPBF 起订13个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订815个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订815个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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