采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
