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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
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功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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