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    栅极电荷: 19nC@10V
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STTFS015N10MCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:3V@77µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":700,"17+":41164}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13380pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€31W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.021nF@25V

    连续漏极电流:9A€2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:152mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13380pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":700,"17+":41164}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13380pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€31W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.021nF@25V

    连续漏极电流:9A€2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:152mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1600ANH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL40N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL40N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL40N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1270pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€31W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.021nF@25V

    连续漏极电流:9A€2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:152mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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