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    漏源电压
    功率
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    行业应用
    阈值电压
    4V @ 250µA 4V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V@250μA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 130µA 2.3V @ 115µA 2V @ 1mA 2.5V@250μA 1.4V 4.5V 2.8V@250μA 3.5V@75μA 4.4V @ 250µA 2.6V@1mA 2V@1.54mA 4V@1.7mA 2.4V@1mA 2.7V @ 12µA 2V@170μA 2.5V@100μA 2.2V 3.5V@275μA 3.8V 2.7V 4.5V@3mA 1.8V@100μA 2.3V @ 61µA 1.7V 3.5V@90μA 3V@250μA 3.8V@36μA 3.5V@1mA 3.5V@33μA 4V @ 110µA 4V 2V@380μA 3.8V@275μA 1.1V 2.1V@1mA 4V@1mA 4V@4mA 5V@4mA 2.5V@1mA 1.8V@250μA 2.8V@1mA 2.7V@250μA 2.3V @ 13µA 3V@38μA 2.15V@1mA 3V@1mA 2.4V 3.8V@250μA 1.9V 2V@1mA 4V @ 83µA 2V 5V@1mA 4V@239μA 1.5V@1mA 1.2V 2.2V@250μA 5V@8mA 4.5V @ 3mA 4.5V @ 50µA 2.1V@33μA 4.5V@1mA 4V@1.04mA 4.5V@250μA 3.5V@150μA 2.6V@250μA 3.6V@1mA 4V @ 500µA 2.1V @ 33µA 3.4V@250μA 3.8V @ 270µA 5V 3.8V @ 50µA 3.5V@9μA 2.5V 1.8V@50μA 4V @ 1.7mA 4V@150μA 2V@250μA 3V@131μA 2.4V@10mA 2V@78μA 2V@2mA 4V@2.5mA 2.05V@1mA 1V@380μA 2V@5.55mA 3.3V@109μA 2V@1.037mA 3.8V@50μA 2.5V@300μA 2.5V@5mA 4.1V@150μA 4V@5.55mA 5V@3mA 4V@2mA 3.1V@1mA 2.5V@7mA 2V@90µA 3.5V@120µA 3V@250µA 5V@100µA 4V@83µA 3.8V@275µA 3.8V@49µA 3.5V@75µA 3.8V@48µA 3.5V@40µA 2.3V@36µA 2.7V@250µA 3.3V@36µA 2.9V@250µA 1.8V@50µA 2.3V@49µA 2.7V@12µA 4V@12µA 4V@100µA 3.5V@275µA 3.2V@250µA 4V@150µA 1.8V@13µA 3.5V@35µA 3.5V@100µA 3.8V@115µA 3.8V@270µA 3.8V@36µA 2.3V@115µA 2V@250µA 4V@250µA 3.8V@110µA 4.5V@50µA 3.3V@50µA 4V@240µA 3.5V@250µA 5V@250µA 2.4V@250µA 2.4V@29µA 2.2V@250µA 4V@70µA 2.6V@250µA 4.9V@100µA 2.3V@250µA 3.8V@84µA 2.4V@83µA 3.8V@27µA 3.5V@46µA 2.5V@25µA 4V@90µA 4.5V@250µA 3.5V@150µA 2V@170µA 2.5V@100µA 4V@35µA 2.5V@250µA 1.8V@218µA 2.4V@60µA 3.5V@33µA 3.5V@90µA 2.5V@500µA 3.8V@50µA 2.5V@150µA 3.4V@250µA 4V@45µA 5.5V@250µA 3.5V@12µA 3.3V@250µA 1.8V@400µA 3.5V@272µA 2.8V@250µA 4V@50µA 4V@61µA 4.4V@250µA 3.8V@95µA 3.8V@202µA 3.8V@250µA 3.8V@72µA 4.8V@150µA 2.5V@100µA€2.5V@20µA 2.5V@9mA 2.5V@600µA 3.8V@279µA 2.4V@39µA 3.5V@16µA 2.2V@282µA 4V@310µA 2.3V@23µA 3.5V@9µA 5V@500µA 3.5V@180µA 4V@700µA 3V@270µA 2.2V@15µA 3.8V@750µA 3.8V@158µA 4V@110µA 1V@380µA 3.8V@210µA 4V@10µA 2.4V@43µA 2.5V@350µA 4V@650µA 2.5V@3mA 4V@42µA 3.8V@267µA 2.6V@100µA 2.1V@25µA 3V@351µA 3.8V@125µA 3.8V@280µA 3.8V@93µA 2.3V@13µA 2.4V@110µA 2.3V@92µA 4V@300µA 4V@29µA 2.1V@1.54mA 3.8V@169µA 4.9V@50µA 2.3V@18µA 2.2V@8µA 3V@158µA€4V@158µA 4V@450µA 1V@170µA 2.5V@20µA 2.1V@16µA 4V@200µA 4V@500µA 2.3V@61µA 3.8V@146µA 3.6V@250µA 3.8V@183µA 2.3V@10µA 1.8V@100µA 3.8V@148µA 3.8V@90µA 3.8V@46µA 3V@85µA 4V@370µA 3.3V@13µA 3.5V@45µA 2.5V@4mA 2.2V@12µA 3.8V@150µA 3V@26µA 3.3V@147µA 4.1V@150µA 3V@77µA 2.5V@300µA 2.5V@1.5mA 2.5V@14mA 4.5V@25µA 2.1V@33µA 2.4V@72µA 4V@520µA 2.5V@13mA 2.2V@27µA 2.1V@90µA 3V@38µA 4V@130µA 4V@25µA 4V@78µA 4.1V@250µA 4V@39µA 4V@380µA 3.8V@278µA 4.1V@270µA 3V@24µA€4V@40µA 3.3V@116µA 2.3V@28µA 2.1V@46µA 4V@44µA 4V@239µA 4V@254µA 2.3V@40µA 3.8V@59µA 3.5V@160µA 2V@500µA 3.8V@184µA 3.3V@109µA 2.4V@61µA 2V@380µA 4V@218µA 4V@43µA 3V@192µA 2.5V@12mA 2.5V@11mA 2.5V@5.5mA 2.5V@1.2mA 3.5V@500µA
    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    漏源电压: 100V
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订72个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订72个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€35W

    阈值电压:4V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N10S305AKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N10S305AKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP100N10S305AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLU120NPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLU120NPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLU120NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD482

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7350pF@25V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7630pF@50V

    连续漏极电流:36A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB55N10TM

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),155W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:98 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:3.8V@93µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@50V

    连续漏极电流:21A€139A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.25mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N10S402ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N10S402ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.5V@275µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14600pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@13µA

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:27.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRL7PP 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRL7PP 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLS4030TRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11490pF@50V

    连续漏极电流:190A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@110A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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