品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:2个N沟道
导通电阻:36mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G450N10D52
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:35A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H038SPDW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€39W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:散装
输入电容:544pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:2个N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KE6TB1
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.7nC@10V
输入电容:305pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:58mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KE6TB1
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.7nC@10V
输入电容:305pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:58mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KE6TB1
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.7nC@10V
输入电容:305pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:58mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KE6TB1
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.7nC@10V
输入电容:305pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:58mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KE6TB1
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.7nC@10V
输入电容:305pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:58mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KE6TB1
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.7nC@10V
输入电容:305pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:58mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
阈值电压:2.2V@250μA
功率:1.6W
漏源电压:100V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
阈值电压:2.2V@250μA
功率:1.6W
漏源电压:100V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: