采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：670mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM14N956L，EFF
工作温度：150℃
功率：1.33W
阈值电压：1.4V@1.57mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTE32136C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：213000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0230DPA-00#J5A
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
输入电容：1.65nF@10V
连续漏极电流：20A€50A
类型：2个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD840NH6327
功率：500mW
阈值电压：750mV@1.6μA
连续漏极电流：880mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@2.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L-26
功率：33W
阈值电压：2.2V@10μA
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8205A
功率：830mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06S2
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KC5TCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@10V
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：95mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：270000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2650T1E-E2-AT
功率：1.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7103TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7103TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Macom
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF141G
功率：300W
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
