品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
工作温度:150℃
功率:295mW€1.04W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
工作温度:150℃
功率:295mW€1.04W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
工作温度:150℃
功率:295mW€1.04W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
工作温度:150℃
功率:295mW€1.04W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
工作温度:150℃
功率:295mW€1.04W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-S-TR
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: