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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：4000}
规格型号(MPN)：IRFH4253DTRPBF
包装方式：卷带（TR）
功率：31W€50W
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：64A€145A
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：1.314nF@13V
阈值电压：2.1V@35μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
