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    类型: 2个N沟道
    功率: 250mW
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VK-7 起订数33000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VK-7 起订数33000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数50个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数50个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:750pC@4.5V

    连续漏极电流:485mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:750pC@4.5V

    连续漏极电流:485mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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