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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF02DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF02DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:2.65nF@10V

    连续漏极电流:30.5A€60A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.1nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:108A€30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:4mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.1nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF04DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF04DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:108A€30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:4mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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