品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.1nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW€510mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA€340mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW€510mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA€340mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.1nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: