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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
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阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
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功率：3.1W
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栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.3A
漏源电压：20V
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