品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:375mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:440pC@4.5V
输入电容:13pF@10V
连续漏极电流:180mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2个N沟道
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: