采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4pF@10V
导通电阻：1Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：6W
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4pF@10V
导通电阻：1Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：295mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：295mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4pF@10V
导通电阻：1Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：170mA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：430pC@4.5V
功率：220mW
阈值电压：2.1V@250μA
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
输入电容：17pF@10V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：20A
漏源电压：30V
阈值电压：2.1V@250μA
功率：6W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
