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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：670mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
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导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
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ECCN：EAR99
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输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
输入电容：530pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：8.5A
栅极电荷：10.6nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：2W
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：670mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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