采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA602T-T1-A
功率：300mW
阈值电压：1.8V@1μA
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：25Ω@10mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA675T-T1-A
功率：200mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA675T-T1-A
功率：200mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA602T-T1-A
功率：300mW
阈值电压：1.8V@1μA
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：25Ω@10mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：51620}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA602T-T2-A
功率：300mW
阈值电压：1.8V@1μA
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：25Ω@10mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：51620}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA602T-T2-A
功率：300mW
阈值电压：1.8V@1μA
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：25Ω@10mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
导通电阻：8Ω@4V，10mA
输入电容：13pF@5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
导通电阻：8Ω@4V，10mA
输入电容：13pF@5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
