采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：280mA
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：10pF@10V
导通电阻：800mΩ@2.5V，300mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDWA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：10pF@10V
导通电阻：800mΩ@2.5V，300mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
导通电阻：8Ω@4V，10mA
输入电容：13pF@5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
导通电阻：8Ω@4V，10mA
输入电容：13pF@5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
