销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,1.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,1.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:19mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: