采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2176-6/TR
功率：900mW
阈值电压：780mV@250μA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2个N沟道
反向传输电容：36pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN16M0UCA6-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
连续漏极电流：17A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
连续漏极电流：5.7A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
功率：900mW
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：3.8nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：412pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
