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    功率: 900mW
    当前匹配商品:1400+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6912A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6636R-TL-W 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6636R-TL-W 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":1338796}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6636R-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:20mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9948 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9948 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9948

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:394pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3030LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3890

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7430LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1281pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD3148NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD3148NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD3148NT1G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS3423 起订38个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS3423 起订38个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS3423

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:92mΩ@10V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS6K1FRATR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS6K1FRATR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS6K1FRATR

    工作温度:150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:77pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:238mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LDV-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LDV-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3016LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V

    连续漏极电流:21A€15A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3890

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9926A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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