品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UFU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:906pF@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LDV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V
连续漏极电流:21A€15A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: