品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.36nF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.36nF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:1.36nF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
栅极电荷:40nC@10V
功率:900mW
连续漏极电流:6.9A
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:31nC@5V
输入电容:2.25nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
功率:900mW
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
功率:900mW
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: